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NVMTSC1D3N08M7TXG

Name: onsemi NVMTSC1D3N08M7TXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMTSC1D3N08M7TG
Price: 3549.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMTSC1D3N08M7TG

Fabricante N.º:

NVMTSC1D3N08M7TXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PT7 80V DC PQFN8*8 EXPANSION

Hoja de datos:

NVMTSC1D3N08M7TXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡3 549,60	₡3 549,60
	₡2 528,80	₡25 288,00
	₡1 844,40	₡184 440,00
	₡1 745,80	₡1 745 800,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡1 722,60	₡5 167 800,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFNW-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	348 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	196 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	5.1 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	KR
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	32.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	253 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	29 ns
Serie:	NVMTSC1D3N08M7
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	80.9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	39.9 ns
Peso de la unidad:	319,280 mg

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NVMTSC1D3N08M7TXG Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMTSC1D3N08M7 Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMTSC1D3N08M7 Single N-Channel Power MOSFET is a compact and efficiently designed automotive power MOSFET with high thermal performance. This power MOSFET features low capacitance and a Wettable Flank plated option for enhanced optical inspection. onsemi NVMTSC1D3N08M7 MOSFET is AEC-Q101 Qualified and PPAP capable and comes in a small footprint of an 8mm x 8mm flat lead package. This device is ideally used in reverse battery protection, switching power supplies, high-side drivers, low-side drivers, H-bridges, and other automotive applications.