OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS®-P2 Automotive MOSFETs offers a comprehensive portfolio of P-channel automotive power MOSFETs with the technology of OptiMOS-P2 and Gen5. The Automotive MOSFETs are AEC qualified and supports a 175°C operating temperature. The Infineon OptiMOS-P2 Automotive MOSFETs are available in DPAK, D2PAK, TO220, TO262, and SO8 packages.

Resultados: 15
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
3 959En existencias
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 13 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
5 936En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.9 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 158 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
823En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3-2 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 4 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 180 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
3 340En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 190 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
1 164En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.6 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 220 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
5 700En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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6 002En existencias
10 000Se espera el 16/2/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TC252-3-313 P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 12.3 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 45 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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3 916En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 73 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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16 327En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 70 A 9.5 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 71 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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16 985En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 8.7 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 63 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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3 719En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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6 208En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.1 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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6 911En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 118 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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2 381En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3-2 P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 116 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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1 173En existencias
2 500Se espera el 2/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 135 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape