Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 36

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5N102ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡895,20
2 812En existencias
5 000Se espera el 15/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5N102ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5N102A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

2 812En existencias

5 000Se espera el 15/7/2026

Cinta cortada

₡895,20

₡562,10

₡367,97

₡288,86

Envase tipo carrete

₡206,62

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQDH88N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 961,45
5 000Se espera el 3/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQDH88N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH88N06LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

5 000Se espera el 3/9/2026

Cinta cortada

₡2 961,45

₡2 024,61

₡1 431,28

₡1 342,80

Envase tipo carrete

₡1 316,78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

447 A

860 uOhms

- 10 V, 10 V

1.1 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH68N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 997,17
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH68N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH68N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

18En existencias

Cinta cortada

₡3 997,17

₡2 685,60

₡2 055,84

₡1 764,38

₡1 603,03

Envase tipo carrete

₡1 603,03

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

460 A

1.12 Ohms

- 20 V, 20 V

2.8 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

273 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 852,86
9 970Se espera el 6/8/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E022N06LM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

9 970Se espera el 6/8/2026

Cinta cortada

₡1 852,86

₡1 186,66

₡817,13

₡681,81

Ver

Envase tipo carrete

₡536,08

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQD009N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 831,33
4 990Se espera el 16/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQD009N06NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD009N06NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

4 990Se espera el 16/7/2026

Cinta cortada

₡2 831,33

₡1 878,88

₡1 524,96

₡1 452,10

Ver

Envase tipo carrete

₡1 342,80

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

60 V

445 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 050,63
3 770Se espera el 5/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

3 770Se espera el 5/11/2026

Cinta cortada

₡2 050,63

₡1 337,60

₡973,27

₡817,13

Ver

Envase tipo carrete

₡707,83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

137 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package

ISC013N06NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 362,91
8 000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC013N06NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC013N06NM5SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package

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8 000En pedido

Cinta cortada

₡2 362,91

₡1 550,99

₡1 155,43

₡968,07

Ver

Envase tipo carrete

₡759,88

Min.: 1
Mult.: 1

: 4 000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

276 A

1.3 mOhms

20 V

3.3 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISG0614N06NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 909,40
3 000Se espera el 13/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISG0614N06NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0614N06NM5HSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

3 000Se espera el 13/10/2026

Cinta cortada

₡2 909,40

₡1 936,13

₡1 384,44

₡1 254,32

₡1 181,46

Envase tipo carrete

₡1 181,46

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

60 V

233 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC007N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 361,50
3 550Se espera el 1/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC007N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TC007N06NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

3 550Se espera el 1/10/2026

Cinta cortada

₡4 361,50

₡3 013,49

₡2 243,21

₡1 884,08

Envase tipo carrete

₡1 712,33

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

60 V

454 A

750 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

209 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies
500: ₡988,88
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP020N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP020N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

₡988,88

₡926,43

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 649,88
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

₡1 649,88

₡1 061,75

₡728,65

₡593,33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

69 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 A
40 A
41 A
46 A
69 A
84 A
95 A
100 A
120 A
137 A
151 A
170 A
233 A
259 A
275 A
276 A
311 A
330 A
339 A
394 A

750 uOhms
800 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.55 mOhms
1.6 mOhms
1.72 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.23 mOhms
4 mOhms
4.9 mOhms

12.5 nC
15 nC
28 nC
38 nC
39 nC
47 nC
49 nC
53 nC
56 nC
68 nC
70 nC
75 nC
76 nC
77 nC
90 nC
106 nC
110 nC
115 nC
120 nC
133 nC

2.5 W
36 W
38 W
42 W
71 W
79 W
94 W
100 W
107 W
125 W
136 W
139 W
167 W
188 W
214 W
217 W
250 W
273 W
278 W
300 W