RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs are high-performance switching and rectifier devices designed for use in a wide range of power and signal applications. The AEC-Q101-qualified ROHM RD3x components feature low forward voltage, fast recovery time, and high surge current capability, making the MOSFETs ideal for efficient power conversion and protection in compact electronic systems. With options tailored for automotive, industrial, and consumer electronics, the RD3 family supports applications such as DC-DC converters, motor drivers, LED lighting, and battery-powered devices. A compact surface-mount (TO-252-3) package and low leakage current contribute to space-saving and energy-efficient designs, while high reliability ensures stable performance under demanding conditions.

Resultados: 20
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 8A N-CH MOSFET
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 250 V 8 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 10 A 133 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 46 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 17.5 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 190 V 10 A 182 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 52 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 45 V 20 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 15 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.1 mOhms 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.2 mOhms 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 100V 57A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 57 A 16.8 mOhms 20 V 4 V 17.3 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 5 A 109 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 8 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 5 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252
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2 500Se espera el 12/5/2026
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.4 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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2 500Se espera el 23/2/2026
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 2.3 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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2 500Se espera el 23/2/2026
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3.3 mOhms 20 V 2.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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2 500Se espera el 23/2/2026
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 62 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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2 500Se espera el 23/2/2026
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Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 5.3 mOhms 20 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -68A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 40 V 68 A 13.1 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 48 nC - 55 C + 175 C 77 W Enhancement Reel