SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.

Resultados: 17
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H)
Hoja de datos
9 240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N/P-CH, 30V, 4A, TSOP-F
Hoja de datos
11 901En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
Hoja de datos
587 193En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
Hoja de datos
26 948En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)
Hoja de datos
11 778En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Reel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)
Hoja de datos
11 562En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Reel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)
Hoja de datos
11 595En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Reel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 6A, TSOP-F
Hoja de datos
2 955En existencias
9 000Se espera el 11/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si Reel, Cut Tape

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TSOP-F
Hoja de datos
1 510En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
Hoja de datos
21 167En existencias
93 000Se espera el 8/5/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
Hoja de datos
110 126En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=100V
Hoja de datos
56 990En existencias
30 000Se espera el 24/4/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 100 V 2 A 84 mOhms, 84 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V
Hoja de datos
2 774En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 1 Channel 12 V 4.8 A 26 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
Hoja de datos
Comentarios de Producto
6 599En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
Hoja de datos
12 896En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 32.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
Hoja de datos
Comentarios de Producto
1 106En existencias
12 000Se espera el 22/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
Hoja de datos
2 340En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms, 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel