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MCU1K4N95SH-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCU1K4N95SH-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCU1K4N95SH-TP
Price: 1502.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-MCU1K4N95SH-TP

Fabricante N.º:

MCU1K4N95SH-TP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DPAK

Ciclo de vida:

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	₡1 502,20	₡1 502,20
	₡962,80	₡9 628,00
	₡655,40	₡65 540,00
	₡545,78	₡272 890,00
	₡480,24	₡480 240,00
	₡472,70	₡1 181 750,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡472,70	₡2 363 500,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	950 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.49 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	83 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	26 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de súper unión de canal N MCU1K4N95SH

El MOSFET de potencia de súper unión de canal N MCU1K4N95SH de Micro Commercial Components (MCC) cumple con los futuros desafíos de diseño de alto voltaje. Este MOSFET con tecnología Super-Junction (SJ) cuentan con una carga de puerta a drenaje baja, reduciendo significativamente las pérdidas de conducción y amplificando la eficiencia general. La tecnología SJ y la resistencia de encendido de 1.49Ω permiten que los ingenieros puedan diseñar para índices de voltaje más altos sin comprometer el rendimiento. El paquete DPAK (TO-252) aumenta la versatilidad del MOSFET, lo que lo hace ideal para suministros de potencia CA-CC, iluminación LED, adaptadores de carga, dispositivos solares/de energía y otras aplicaciones de alto voltaje en múltiples industrias.