Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Single P-Channel Power MOSFETs

onsemi Single P-Channel Power MOSFETs offer a small footprint for compact designs, low R_DS(on) to minimize conduction losses, and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. onsemi Single P-Channel Power MOSFETs are lead−free and are suitable for automotive and other applications requiring AEC−Q101 qualified site and change controls.

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Resultados: 6

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH

NVTFS5116PLWFTWG
onsemi
1: ₡1 134,61
9 856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5116PLWFTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5116PLWFTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH

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Cinta cortada

₡1 134,61

₡728,65

₡490,80

₡389,83

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Envase tipo carrete

₡321,65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

WDFN-8

P-Channel

1 Channel

60 V

14 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

21 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single P-Channel 60V,14A,52mohm

NVTFS5116PLTAG
onsemi
1: ₡780,70
5 223En existencias
4 500Se espera el 27/7/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5116PLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5116PLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single P-Channel 60V,14A,52mohm

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5 223En existencias

4 500Se espera el 27/7/2026

Cinta cortada

₡780,70

₡460,61

₡325,81

₡252,95

Envase tipo carrete

₡252,95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 620

: 1 500

SMD/SMT

WDFN-8

P-Channel

1 Channel

60 V

14 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

21 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single P-Channel 60V,14A,52mohm

NVTFS5116PLTWG
onsemi
1: ₡890,00
6 516En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5116PLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5116PLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single P-Channel 60V,14A,52mohm

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Cinta cortada

₡890,00

₡536,08

₡365,37

Envase tipo carrete

₡365,37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 260

: 5 000

SMD/SMT

WDFN-8

P-Channel

1 Channel

60 V

14 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

21 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH

NVTFS5116PLWFTAG
onsemi
1: ₡1 134,61
2 937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5116PLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5116PLWFTAG

onsemi

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Cinta cortada

₡1 134,61

₡697,42

₡483,51

₡385,66

Envase tipo carrete

₡338,30

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

WDFN-8

P-Channel

1 Channel

60 V

14 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

21 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET SO8FL -30V 2MO

NTMFS002P03P8ZT1G
onsemi
1: ₡1 962,15
115En existencias
6 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS002P03P8ZT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS002P03P8ZT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PFET SO8FL -30V 2MO

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6 000En pedido

Cinta cortada

₡1 962,15

₡1 275,14

₡895,20

Envase tipo carrete

₡895,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL

P-Channel

1 Channel

30 V

263 A

1.4 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

217 nC

- 55 C

+ 150 C

138.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 60V 20A 25MOHM

NVTFS5826NLWFTWG-UM
onsemi
1: ₡811,93
5 000Se espera el 27/11/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5826NLWFTWG-UM

N.º de artículo de Mouser
863-TFS5826NLWFTWGUM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 60V 20A 25MOHM

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5 000Se espera el 27/11/2026

Cinta cortada

₡811,93

₡512,66

₡341,95

₡268,56

₡236,81

Envase tipo carrete

₡221,20

Min.: 1
Mult.: 1

: 5 000

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

24 mOhms

20 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Single P-Channel Power MOSFETs

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