Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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17 929 En existencias
15 000 Se espera el 27/8/2026
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488 En existencias
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2 918 En existencias
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Si
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Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2 665 En existencias
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Si
Through Hole
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IPA60R400CEXKSA1
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3
63 En existencias
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Detalles
Si
Through Hole
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CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R3K4CEATMA1
Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R3K4CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3 217 En existencias
1
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Ver
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Detalles
Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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1 000 Se espera el 17/9/2026
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
490 En existencias
1 000 Se espera el 17/9/2026
1
₡1 092,98
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Min.: 1
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Detalles
Si
Through Hole
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CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
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17 500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2 445 En existencias
17 500 En pedido
Ver fechas
Existencias:
2 445 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2 500 Se espera el 7/1/2027
15 000 Se espera el 25/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
₡853,56
10
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1 000
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2 500
₡204,54
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
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1 Channel
600 V
9 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
1:
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4 613 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4 613 En existencias
1
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10
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24 000
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
700 V
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3
IPA60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡921,22
75 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R650CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3
75 En existencias
1
₡921,22
10
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1 000
Ver
1 000
₡258,67
2 500
₡249,30
5 000
₡240,98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
7 A
650 mOhms
- 20 V, 20 V
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+ 150 C
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Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA65R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 040,93
551 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R400CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
551 En existencias
1
₡1 040,93
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Ver
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₡284,69
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
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CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R2K1CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡499,65
126 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R2K1CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
126 En existencias
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Si
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2 786 En existencias
2 500 Se espera el 24/9/2026
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Si
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DPAK-3 (TO-252-3)
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Si
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SOT-223-3
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Si
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
9.9 A
540 mOhms
- 20 V, 20 V
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