Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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TO-220-3
N-Channel
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56 A
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4.5 V
78.6 nC
- 55 C
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245 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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PowerFLAT-5
N-Channel
600 V
39 A
65 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
66 nC
- 55 C
+ 150 C
202 W
Enhancement
MDmesh
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
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PowerFLAT-5
N-Channel
1 Channel
650 V
58 A
44 mOhms
30 V
4.2 V
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MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
1 Channel
600 V
27 A
99 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
179 W
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
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STWA60N043DM9
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TO-247-3
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56 A
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- 30 V, 30 V
4.5 V
78.6 nC
- 55 C
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312 W
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