SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
SemiQ Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 30 A 1.2 kV 1.54 V 265 A 2 uA - 55 C + 175 C Tube
SemiQ Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
Hoja de datos
N/A
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 15 A 1.2 kV 1.48 V 150 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube
SemiQ Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 20 A 1.2 kV 1.54 V 210 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube
SemiQ Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 50A 650V TO-247-2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 650 V 1.77 V 300 A 22 uA - 55 C + 175 C Tube
SemiQ Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 30 A 1.2 kV 1.54 V 265 A 2 uA - 55 C + 175 C Tube