Resultados: 59
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4 425En existencias
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 45 A 12.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4 828En existencias
Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 41 A 15.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4 882En existencias
Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 19.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2 809En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 30 V 75 A 8.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3 000En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 30 V 47 A 12.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2 400En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 30 V 42 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 21 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2 814En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 30 V 33 A 18.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET 2 665En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 18.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1 687En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 40 V 61 A 11.3 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2 783En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1 793En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si 30 V 45 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1 469En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 5 348En existencias
15 000Se espera el 7/9/2026
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 54 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 19 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3 789En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 72 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1 941En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.1 A 98 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 7 855En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 14 490En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.5 A 88 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 10 nC - 50 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3 772En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.5 A 46 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 2 136En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.1 A 970 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.6 nC - 50 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 26 188En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.1 A 370 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 4 637En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 6 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 5 599En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 380 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 900 pC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 11 950En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 2.2 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4 693En existencias
3 000Se espera el 24/9/2026
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: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 2.2 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1 125En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel