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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Littelfuse Diodos Schottky de SiC 1200V 10A TO-247-3L SiC Schottky Diode
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No en existencias
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Littelfuse Diodos Schottky de SiC 1200V 15A TO-247-3L SiC Schottky Diode
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No en existencias
Min.: 450
Mult.: 450

Littelfuse Diodos Schottky de SiC 1200V 20A TO-247-3L SiC Schottky Diode
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No en existencias
Min.: 450
Mult.: 450

Littelfuse Diodos Schottky de SiC 1200V 30A TO-247-3L SiC Schottky Diode
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No en existencias
Min.: 450
Mult.: 450

IXYS Rectificadores 200 Amps 400V
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Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Rectificadores 60 Amps 300V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Rectificadores 60 Amps 600V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 10

IXYS Rectificadores 8 Amps 600V
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Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA12N65X2 TRL
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA34N65X2 TRL
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA3N120 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA3N120 TRR
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 850V 3.5A N-CH XCLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 50A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA72N30X3 TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
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No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/90A Ultra Junction X-Class
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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
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Plazo de entrega 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 30A N-CH XCLASS
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1