MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

Tipos de Semiconductores discretos
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 130
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
Hoja de datos
647En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Hoja de datos
251En existencias
1 000Se espera el 6/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
Hoja de datos
1 075En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
Hoja de datos
2 265En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Hoja de datos
981En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Hoja de datos
2 800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
Hoja de datos
1 797En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
Hoja de datos
818En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
Hoja de datos
707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
Hoja de datos
1 994En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Hoja de datos
1 797En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
Hoja de datos
1 056En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
Hoja de datos
860En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
Hoja de datos
400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
Hoja de datos
1 794En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
Hoja de datos
Comentarios de Producto
2 745En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Hoja de datos
2 083En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
Hoja de datos
798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Hoja de datos
1 816En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
Hoja de datos
1 131En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
Hoja de datos
446En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
Hoja de datos
1 799En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Hoja de datos
3 192En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Hoja de datos
513En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
2 471En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)