Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STD13N60M2
STMicroelectronics
1:
₡922
2 399 En existencias
2 500 Se espera el 5/3/2026
N.º de artículo de Mouser
511-STD13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
2 399 En existencias
2 500 Se espera el 5/3/2026
1
₡922
10
₡615
100
₡426
500
₡336
2 500
₡263
5 000
Ver
1 000
₡307
5 000
₡248
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in
STD14NM50NAG
STMicroelectronics
1:
₡1 404
1 088 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD14NM50NAG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in
1 088 En existencias
1
₡1 404
10
₡922
100
₡644
500
₡524
2 500
₡437
5 000
Ver
1 000
₡499
5 000
₡425
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD16N50M2
STMicroelectronics
1:
₡1 282
551 En existencias
2 500 Se espera el 27/7/2026
N.º de artículo de Mouser
511-STD16N50M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
551 En existencias
2 500 Se espera el 27/7/2026
1
₡1 282
10
₡824
100
₡559
500
₡445
2 500
₡369
5 000
Ver
1 000
₡421
5 000
₡368
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD7N65M2
STMicroelectronics
1:
₡1 148
1 003 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD7N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1 003 En existencias
1
₡1 148
10
₡737
100
₡509
500
₡432
2 500
₡324
5 000
Ver
1 000
₡377
5 000
₡300
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 400 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STD9N40M2
STMicroelectronics
1:
₡899
3 430 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD9N40M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 400 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
3 430 En existencias
1
₡899
10
₡567
100
₡376
500
₡297
2 500
₡245
5 000
Ver
1 000
₡268
5 000
₡222
10 000
₡215
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
STD9N60M2
STMicroelectronics
1:
₡974
116 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD9N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
116 En existencias
1
₡974
10
₡621
100
₡413
500
₡325
2 500
₡266
5 000
Ver
1 000
₡297
5 000
₡238
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF11N65M2
STMicroelectronics
1:
₡1 363
653 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF11N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
653 En existencias
1
₡1 363
10
₡893
100
₡673
500
₡541
1 000
Ver
1 000
₡454
2 000
₡433
5 000
₡424
10 000
₡422
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STF13N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 143
1 072 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
1 072 En existencias
1
₡1 143
10
₡566
100
₡525
500
₡416
1 000
Ver
1 000
₡380
2 000
₡321
5 000
₡292
10 000
₡289
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF13N65M2
STMicroelectronics
1:
₡1 491
1 012 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
1 012 En existencias
1
₡1 491
10
₡731
100
₡661
500
₡528
1 000
Ver
1 000
₡485
2 000
₡445
5 000
₡429
25 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
STF18N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 560
399 En existencias
1 000 Se espera el 23/3/2026
N.º de artículo de Mouser
511-STF18N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
399 En existencias
1 000 Se espera el 23/3/2026
1
₡1 560
10
₡742
100
₡702
500
₡538
1 000
Ver
1 000
₡534
2 000
₡466
5 000
₡451
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
STF33N60M2
STMicroelectronics
1:
₡2 349
422 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STF33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh M2
422 En existencias
1
₡2 349
10
₡1 201
100
₡1 073
500
₡893
1 000
Ver
1 000
₡824
2 000
₡795
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c
STFH18N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 305
526 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFH18N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c
526 En existencias
1
₡1 305
10
₡911
100
₡702
500
₡621
920
Ver
920
₡539
5 520
₡535
10 120
₡534
25 760
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
STFH24N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 607
1 058 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFH24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
1 058 En existencias
1
₡1 607
10
₡922
100
₡824
500
₡702
920
Ver
920
₡621
2 760
₡597
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n
STFU24N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 914
594 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFU24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n
594 En existencias
1
₡1 914
10
₡1 241
100
₡911
500
₡771
1 000
Ver
1 000
₡650
2 000
₡621
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV
STL7N60M2
STMicroelectronics
1:
₡957
2 407 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL7N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV
2 407 En existencias
1
₡957
10
₡609
100
₡406
500
₡320
3 000
₡256
6 000
Ver
1 000
₡292
6 000
₡238
9 000
₡233
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x5-12
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP11N65M2
STMicroelectronics
1:
₡1 334
738 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP11N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
738 En existencias
1
₡1 334
10
₡650
100
₡580
500
₡465
1 000
Ver
1 000
₡427
2 000
₡395
5 000
₡368
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP12N50M2
STMicroelectronics
1:
₡1 276
438 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP12N50M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
438 En existencias
1
₡1 276
10
₡621
100
₡554
500
₡442
1 000
Ver
1 000
₡405
2 000
₡375
5 000
₡346
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
STP13N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 125
998 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP13N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
998 En existencias
1
₡1 125
10
₡719
100
₡498
500
₡422
1 000
Ver
1 000
₡353
2 000
₡325
5 000
₡309
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
STP18N65M5
STMicroelectronics
1:
₡2 198
757 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP18N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
757 En existencias
1
₡2 198
10
₡1 154
100
₡1 044
500
₡858
1 000
Ver
1 000
₡783
2 000
₡748
5 000
₡742
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
STP25N60M2-EP
STMicroelectronics
1:
₡2 076
491 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP25N60M2-EP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
491 En existencias
1
₡2 076
10
₡1 073
100
₡969
500
₡795
1 000
Ver
1 000
₡731
2 000
₡690
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
STP28N60M2
STMicroelectronics
1:
₡2 158
520 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP28N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
520 En existencias
1
₡2 158
10
₡1 114
100
₡1 009
500
₡824
1 000
Ver
1 000
₡760
2 000
₡725
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
STP7N60M2
STMicroelectronics
1:
₡1 038
1 238 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP7N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
1 238 En existencias
1
₡1 038
10
₡497
100
₡444
500
₡351
1 000
Ver
1 000
₡320
2 000
₡303
5 000
₡268
10 000
₡262
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
+1 imagen
STW18N60M2
STMicroelectronics
1:
₡2 158
385 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW18N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
385 En existencias
1
₡2 158
10
₡1 404
100
₡1 102
600
₡922
1 200
Ver
1 200
₡789
3 000
₡748
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack
+1 imagen
STW27N60M2-EP
STMicroelectronics
1:
₡2 337
397 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW27N60M2-EP
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack
397 En existencias
1
₡2 337
10
₡1 288
100
₡887
600
₡818
1 200
₡789
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
+1 imagen
STW28N65M2
STMicroelectronics
1:
₡2 825
711 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW28N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
711 En existencias
1
₡2 825
10
₡1 583
100
₡1 108
600
₡1 027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3