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DMTH6004LPS-13

Name: Diodes Incorporated DMTH6004LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH6004LPS-13
Price: 1270.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMTH6004LPS-13

Fabricante N.º:

DMTH6004LPS-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A

Hoja de datos:

DMTH6004LPS-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 270,20	₡1 270,20
	₡875,80	₡8 758,00
	₡620,60	₡62 060,00
	₡496,48	₡248 240,00
	₡480,82	₡480 820,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡455,88	₡1 139 700,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerDI5060-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	22 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	96.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	2.6 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	32.9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17.7 ns
Serie:	DMTH6004
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	53.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.9 ns
Peso de la unidad:	96 mg

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Hoja de datos

DMTH6004LPS-13 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMTH6004 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH6004 N-channel Enhance Mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (R_DS(ON)) and maintain superior switching performance. The DMTH6004 MOSFET provides a BV_DSS voltage of 60V and is rated to +175°C. This MOSFET from Diodes Incorporated is ideal for high-efficiency power management applications such as a primary switch in isolated DC-DC, synchronous rectifier, and load switch.