Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 150V 125A N-CH
Hoja de datos
2 244En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 8.3 mOhms 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 30V 390A
Hoja de datos
2 340En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 30 V 390 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 135 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 160A
Hoja de datos
2 487En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 73 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 80V 230A
Hoja de datos
1 924En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8S N-Channel 1 Channel 80 V 230 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 92 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 200A N-CH
Hoja de datos
50En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 4 mOhms 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 410A
Hoja de datos
2 500Se espera el 19/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 410 A 640 uOhms 20 V 2.5 V 145 nC - 55 C + 175 C 216 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN5060 N-CH 40V 445A
Hoja de datos
2 450Se espera el 19/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 445 A 650 uOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 216 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 150A N-CH
Hoja de datos
2 500Se espera el 19/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 74 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape