NTMFD0D9N02P1E

onsemi
863-NTMFD0D9N02P1E
NTMFD0D9N02P1E

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PDFN-8
N-Channel
2 Channel
25 V, 30 V
77 A, 180 A
720 uOhms, 3 mOhms
- 12 V, 16 V
2 V
19 nC, 67 nC
- 55 C
+ 150 C
29.2 W, 37.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Dual
Tiempo de caída: 3 ns, 10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 147 S, 311 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 2 ns, 4 ns
Serie: NTMFD0D9N02P1E
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 25 ns, 70 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 8 ns, 15 ns
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
Taiwán
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET is a dual N-channel MOSFET designed with low Rg for fast switching applications. This MOSFET consists of an asymmetric POWERTRENCH® power clip. The NTMFD0D9N02P1E MOSFET features low RDS(on) to minimise conduction losses and low QG, and capacitance to minimise driver losses. This MOSFET is available in a small footprint of 5mm x 6mm compact design. The NTMFD0D9N02P1E MOSFET is Pb and halogen/BFR-free and is RoHS-compliant. Typical applications include DC−DC converters, system voltage rails, and general-purpose point-of-load.

En existencias: 1 376

Existencias:
1 376 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡2 102,68 ₡2 102,68
₡1 384,44 ₡13 844,40
₡973,27 ₡97 327,00
₡884,79 ₡442 395,00
₡879,59 ₡879 590,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡843,15 ₡2 529 450,00
₡817,13 ₡4 902 780,00