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NTMJS1D5N04CLTWG

Name: onsemi NTMJS1D5N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMJS1D5N04CLTWG
Price: 1438.4 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMJS1D5N04CLTWG

Fabricante N.º:

NTMJS1D5N04CLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel

Hoja de datos:

NTMJS1D5N04CLTWG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 438,40	₡1 438,40
	₡928,00	₡9 280,00
	₡638,00	₡63 800,00
	₡508,08	₡254 040,00
	₡487,78	₡487 780,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡468,64	₡1 405 920,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	200 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	70 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	110 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	256 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	140 ns
Serie:	NTMJS1D5N04CL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	31 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	99,445 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTMJS1D5N04CL 40V Industrial Power MOSFET

onsemi NTMJS1D5N04CL 40V Industrial Power MOSFET features a small 5mm x 6mm footprint, low R_DS(on), low Gate Charge (Q_G), and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses while the low Q_G and low capacitance minimize driver losses. This single N-channel power MOSFET is Pb-free, RoHS-compliant, and features a -55°C to +175°C operating temperature range.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.