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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A
Hoja de datos
2 361Se espera el 26/6/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323FL-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Pch MOSFET
Hoja de datos
6 131Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 8 000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 P-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3.8 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10.2 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 10.2 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 7A Si MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 570 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 100 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 50A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 83 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 120 nC - 55 C + 150 C 615 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 165 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 61 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel