Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

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Resultados: 38
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Hoja de datos
1En existencias
600Se espera el 30/7/2027
Cinta cortada
₡10 940,18
₡8 171,31
₡7 067,92
Envase tipo carrete
₡6 693,19
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SiC MOSFETS
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
443En existencias
₡14 427,30
₡11 549,13
₡9 987,73
₡9 456,86
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
181En existencias
600Se espera el 23/7/2027
₡10 419,72
₡6 172,72
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole Hip247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
478En existencias
1 000Se espera el 10/9/2027
Cinta cortada
₡7 083,53
₡4 028,40
₡4 017,99
Envase tipo carrete
₡3 799,40
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
187En existencias
₡7 359,38
₡4 928,81
₡4 569,69
₡3 887,88
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
869En existencias
Cinta cortada
₡6 911,78
₡5 147,40
₡4 293,84
₡3 825,42
Envase tipo carrete
₡3 570,39
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Hoja de datos
647En existencias
600Se espera el 30/7/2027
₡7 281,31
₡5 548,16
₡4 621,73
₡4 122,09
₡3 846,24
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
457En existencias
₡5 876,05
₡3 211,27
₡2 940,63
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
429En existencias
₡6 911,78
₡5 147,40
₡4 293,84
₡3 825,42
₡3 570,39
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Hoja de datos
1 394En existencias
Cinta cortada
₡5 230,68
₡3 570,39
₡2 945,83
₡2 623,15
₡2 456,60
Envase tipo carrete
₡2 456,60
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
19En existencias
1 200Se espera el 29/10/2026
Cinta cortada
₡11 590,76
₡8 655,34
₡7 489,50
Envase tipo carrete
₡7 088,74
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
14En existencias
1 200En pedido
₡10 419,72
₡6 766,05
₡5 985,35
₡5 506,52
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Hoja de datos
43En existencias
600En pedido
₡9 862,82
₡6 136,29
₡5 756,35
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
20En existencias
1 200En pedido
₡7 182,42
₡4 798,69
₡4 512,44
₡4 049,22
₡3 804,60
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
Hoja de datos
543En existencias
1 000Se espera el 2/7/2027
Cinta cortada
₡6 849,32
₡5 105,77
₡4 252,20
₡3 788,99
Envase tipo carrete
₡3 544,37
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SiC MOSFETS SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
Hoja de datos
4 893En existencias
Cinta cortada
₡1 759,17
₡879,59
₡796,31
₡645,38
₡634,97
Envase tipo carrete
₡588,13
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
6En existencias
1 000Se espera el 3/9/2027
Cinta cortada
₡8 566,86
₡5 136,99
Envase tipo carrete
₡4 798,69
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Hoja de datos
8En existencias
1 800Se espera el 10/6/2027
Cinta cortada
₡5 839,62
₡4 127,29
₡3 435,07
₡3 065,54
₡2 862,56
Envase tipo carrete
₡2 862,56
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Hoja de datos
14En existencias
600Se espera el 30/4/2027
₡7 281,31
₡5 548,16
₡4 621,73
₡4 122,09
₡3 846,24
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
1 200Se espera el 6/8/2027
Cinta cortada
₡16 045,95
₡12 845,09
₡11 106,73
Envase tipo carrete
₡10 518,61
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
1 985En pedido
Cinta cortada
₡14 036,95
₡11 236,85
₡9 717,09
₡9 201,83
Envase tipo carrete
₡8 598,09
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
1 997Se espera el 16/4/2027
Cinta cortada
₡9 555,74
₡5 917,69
₡5 839,62
Envase tipo carrete
₡5 392,02
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
998Se espera el 4/6/2027
Cinta cortada
₡12 001,93
₡7 791,37
₡7 775,75
₡7 348,97
Envase tipo carrete
₡6 864,94
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
600Se espera el 5/11/2027
₡9 722,29
₡7 406,22
₡6 172,72
₡5 136,99
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
300Se espera el 7/5/2027
Cinta cortada
₡7 463,47
₡5 683,48
₡4 736,24
Envase tipo carrete
₡4 220,97
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SiC MOSFETS