Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified 2 948En existencias
Cinta cortada
₡2 238,00
₡1 139,82
₡1 035,73
₡869,18
Envase tipo carrete
₡822,34
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 100 A 2.9 mOhms, 2.9 mOhms 20 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified 1 454En existencias
Cinta cortada
₡1 873,68
₡942,04
₡853,56
₡692,22
₡687,01
Envase tipo carrete
₡640,17
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 160 A 3.6 mOhms, 3.6 mOhms 20 V 1.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 944En existencias
Cinta cortada
₡1 884,08
₡947,25
₡858,77
₡697,42
₡692,22
Envase tipo carrete
₡655,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 100 A 3.4 mOhms, 3.4 mOhms 20 V 1.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel