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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A TO220-3
Hoja de datos
399En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
111En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24.3 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 104.9 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
135En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 21 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
27En existencias
1 200Se espera el 5/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 21 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 95 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Hoja de datos
Plazo de entrega 11 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 45 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube