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SCT4036KW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4036KW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036KW7TL
Price: 9321 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SCT4036KW7TL

Fabricante N.º:

SCT4036KW7TL

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 40A N-CH SIC

Hoja de datos:

SCT4036KW7TL Hoja de datos

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡9 321	₡9 321
	₡7 482	₡74 820
	₡6 554	₡655 400
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	₡6 363	₡6 363 000
2 000	Presupuesto

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	47 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	91 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Conformidad:	Done
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	15 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	29 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.1 ns
Alias de las piezas n.º:	SCT4036KW7

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4036KW7 N-Ch SiC power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4036KW7 N-Ch SiC power MOSFET is a 1200V, 36mΩ MOSFET in a TO-263-7L package. The SCT4036KW7 is simple to drive and easy to parallel with fast reverse recovery. The SCT4036KW7 is ideal for solar inverters, induction heating, and motor drives.