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1EDB7275FXUMA1

Name: Infineon 1EDB7275FXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDB7275FXUMA1
Price: 1295.71 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-1EDB7275FXUMA1

Fabricante N.º:

1EDB7275FXUMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Controladores de puertas ISOLATED DRIVER

Hoja de datos:

1EDB7275FXUMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 39

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 295,71	₡1 295,71
	₡834,89	₡8 348,90
	₡742,73	₡18 568,25
	₡612,62	₡61 262,00
	₡574,67	₡143 667,50
	₡506,36	₡253 180,00
	₡440,76	₡440 760,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡401,18	₡1 002 950,00
	₡391,97	₡1 959 850,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Isolated Gate Drivers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	9.8 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	15 V
Tiempo de subida:	8.3 ns
Tiempo de caída:	5 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	DE
País de origen:	DE
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Nombre comercial:	EiceDRIVER
Alias de las piezas n.º:	1EDB7275F SP005351350

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

EiceDRIVER™ Isolated & Non-Isolated Gate Drivers

Infineon EiceDRIVER™ Isolated and Non-Isolated Gate Drivers provide optimized low- and high-voltage gate driver solutions for MOSFETs, IGBTs, and IGBT modules. These isolated and non-isolated gate driver ICs are designed to build reliable and efficient applications. An optimum gate drive configuration is essential for all power switches, whether they are in discrete form or in a power module. Infineon gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A, suitable for any power device size.

Experience the Difference in Power

Infineon is the leader in the power semiconductor market. With more than 20 years of experience and as the innovator of the revolutionary CoolMOS™ super junction MOSFET technology, Infineon continues pioneering in the power management field. Customers can select based on individual design/system requirements from the industry's broadest silicon-based SJ MOSFET portfolio. As one of the few manufacturers mastering all three main power technologies, Infineon complements this assortment with a groundbreaking wide bandgap (WBG) offering. This offering comprises silicon-carbide-based CoolSiC™ MOSFETs, matching diodes, and gallium-nitride-based CoolGaN™ e-mode HEMTs. Solutions are available, ranging from exceptional price performance through unrivaled robustness to best-in-class devices. This enables customers to build more efficient, environmentally friendly, sustainable applications.

HEMT de nitruro de galio CoolGaN™

Los HEMT de nitruro de galio CoolGaN™ de Infineon ofrecen excelentes ventajas como eficiencia máxima, confiabilidad, densidad de potencia y la más alta calidad sobre silicio. Los transistores CoolGaN se producen con la tecnología más confiable, diseñados para la más alta eficiencia y densidad de potencia en suministros de potencia en modo conmutación. Los dispositivos funcionan de manera similar a los MOSFET de silicio convencionales, con polarización en el control de puerta en modo mejora utilizando una estructura de puerta p-GaN.