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STP50N60DM6

Name: STMicroelectronics STP50N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP50N60DM6
Price: 3590.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STP50N60DM6

Fabricante N.º:

STP50N60DM6

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡3 590,20	₡3 590,20
	₡2 041,60	₡20 416,00
	₡1 873,40	₡187 340,00
	₡1 728,40	₡864 200,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.75 V
Qg - Carga de puerta:	55 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	2 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Power MOSFET is a high-voltage N-channel power MOSFET with extremely high dv/dt ruggedness. This power MOSFET is a fast-recovery body diode that is Zener-protected and 100% avalanche-tested. The STMicroelectronics STP50N60DM6 power MOSFET offers low gate charge, low input capacitance, low resistance, and lower R_DS(on) per area compared to the previous generation. This MOSFET combines very low recovery charge (Q_rr), recovery time (t_rr), and excellent improvement in R_DS(on) per area with one of the most effective switching behavior. The STP50N60DM6 MDmesh DM6 power MOSFET is ideal for switching applications.