RV7E035ATTCR1

ROHM Semiconductor
755-RV7E035ATTCR1
RV7E035ATTCR1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET : RV7E035AT is a MOSFET, suitable for switching circuits and High side Load switch.

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre ROHM Semiconductor RV7E035ATTCR1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Si
SMD/SMT
DFN1212-3
P-Channel
1 Channel
30 V
3.5 A
78 mOhms
20 V
2.5 V
4.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 8.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 2.5 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 28 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 8 ns
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

RV7E035AT P-Channel Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor RV7E035AT P-Channel Small Signal MOSFET is a compact, high-performance device designed for low-voltage switching applications. Housed in a space-saving TUMT3 package, the RV7E035AT offers excellent switching characteristics and low on-resistance, making it ideal for portable and battery-powered electronics. This MOSFET features a drain-source voltage (VDS) of -30V, a continuous drain current (ID) of -3.5A, and a low on-resistance [RDS(on)] of just 47mΩ at VGS = -4.5V, ensuring efficient power management and minimal heat generation. The ROHM Semiconductor RV7E035AT is optimized for high-speed switching and is well-suited for load switching, DC-DC converters, and power management circuits in compact electronic devices. A robust design and thermal efficiency also support reliable operation in demanding environments.

Disponibilidad

Existencias:
0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

En pedido:
1 750
Se espera el 18/11/2026
3 000
Se espera el 19/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
28
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡437,19 ₡437,19
₡272,20 ₡2 722,00
₡175,92 ₡17 592,00
₡134,28 ₡67 140,00
₡121,27 ₡121 270,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡102,53 ₡307 590,00

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.