Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs

Nexperia PMV Small Signal N-channel Trench MOSFETs are N-channel enhancement mode Field-Effect Transistors (FET), each in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. The PMV22EN MOSFET also offers logic-level compatibility. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV74EPE/SOT23/TO-236AB

PMV74EPER
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PMV74EPER

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771-PMV74EPER

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Envase tipo carrete

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TO-236AB-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.4 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

5.7 nC

- 55 C

+ 150 C

510 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV164ENEA/SOT23/TO-236AB

PMV164ENEAR
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PMV164ENEAR

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

473 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

2.5 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV16XN/SOT23/TO-236AB

PMV16XNR
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PMV16XNR

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771-PMV16XNR

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

8.6 A

20 mOhms

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400 mV

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- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV20EN/SOT23/TO-236AB

PMV20ENR
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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

7.6 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV20XNE/SOT23/TO-236AB

PMV20XNER
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₡82,75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

7.2 A

23 mOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

12.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV30UN2/SOT23/TO-236AB

PMV30UN2R
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PMV30UN2R

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771-PMV30UN2R

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

TO-236AB-3

N-Channel

1 Channel

20 V

5.4 A

32 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV45EN2/SOT23/TO-236AB

PMV45EN2R
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: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.1 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.115 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV60ENEA/SOT23/TO-236AB

PMV60ENEAR
Nexperia
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PMV60ENEAR

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771-PMV60ENEAR

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

3 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.6 nC

- 55 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV28ENEA/SOT23/TO-236AB

PMV28ENEAR
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PMV28ENEAR

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771-PMV28ENEAR

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SOT-23-3

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4.4 A

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PMV52ENEAR
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PMV52ENEAR

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771-PMV52ENEAR

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: 3 000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.2 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

2.2 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV88ENEA/SOT23/TO-236AB

PMV88ENEAR
Nexperia
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PMV88ENEAR

N.º de artículo de Mouser
771-PMV88ENEAR

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SOT-23-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMZ600UNE/SOT883/XQFN3

PMZ600UNEYL
Nexperia
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PMZ600UNEYL

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771-PMZ600UNEYL

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SMD/SMT

DFN-1006-3

N-Channel

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600 mA

470 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

400 pC

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