R8006KNXC7G

ROHM Semiconductor
755-R8006KNXC7G
R8006KNXC7G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 6A N-CH MOSFET

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FM-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
900 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
52 W
Enhancement
Tube
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 45 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 30 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
Alias de las piezas n.º: R8006KNX
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Specification Sheets

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

R8006KNX N-Channel 800V 6A Power MOSFET

ROHM Semiconductor R8006KNX N-Channel 800V 6A Power MOSFET is a low on-resistance device with fast switching. The R8006KNX features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs have parallel use that is easy to use.

En existencias: 373

Existencias:
373 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
30 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡2 404,55 ₡2 404,55
₡1 233,50 ₡12 335,00
₡1 119,00 ₡111 900,00
₡957,66 ₡478 830,00
₡900,41 ₡900 410,00

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