MOSFET de potencia para aplicaciones específicas

Nexperia Application-Specific Power MOSFETs optimize parameters to match requirements. Nexperia combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range of application-specific MOSFETs.

Resultados: 13
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Hoja de datos
1 849En existencias
Cinta cortada
₡6 224,77
₡3 497,53
₡3 393,43
Envase tipo carrete
₡3 169,63
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 460 A 1.04 mOhms 20 V 4 V 359 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR90-80ASF/SOT8000A/CCPAK12
Hoja de datos
310En existencias
1 000Se espera el 5/4/2027
Cinta cortada
₡6 209,15
₡3 487,12
₡3 383,03
Envase tipo carrete
₡3 200,86
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 850 uOhms 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
Hoja de datos
25En existencias
2 000En pedido
Cinta cortada
₡6 105,06
₡4 340,68
₡3 617,23
₡3 226,89
Envase tipo carrete
₡3 049,93
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
Hoja de datos
142En existencias
Cinta cortada
₡4 481,21
₡2 435,78
₡2 238,00
₡2 201,57
Envase tipo carrete
₡2 081,86
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R3-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
Hoja de datos
133En existencias
Cinta cortada
₡4 751,85
₡2 461,80
₡2 399,35
₡2 227,59
Envase tipo carrete
₡2 081,86
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.3 mOhms 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR90-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
Hoja de datos
54En existencias
Cinta cortada
₡6 375,70
₡3 695,30
₡3 476,71
₡3 471,50
Envase tipo carrete
₡3 159,22
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 900 uOhms 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-80ASF/SOT8000A/CCPAK12
Hoja de datos
235En existencias
Cinta cortada
₡4 647,76
₡3 169,63
₡2 331,68
Envase tipo carrete
₡2 159,93
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.11 mOhms 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
Hoja de datos
216En existencias
Cinta cortada
₡4 647,76
₡3 169,63
₡2 331,68
Envase tipo carrete
₡2 217,18
₡2 196,36
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.16 mOhms 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
Hoja de datos
235En existencias
Cinta cortada
₡4 361,50
₡2 961,45
₡2 170,34
₡2 123,50
Envase tipo carrete
₡2 009,00
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Hoja de datos
246En existencias
Cinta cortada
₡4 522,84
₡3 081,16
₡2 264,02
Envase tipo carrete
₡2 139,11
₡2 118,29
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.35 mOhms 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
Hoja de datos
30En existencias
Cinta cortada
₡4 262,61
₡2 820,92
₡2 269,23
₡2 024,61
Envase tipo carrete
₡1 806,01
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R4-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Hoja de datos
6En existencias
Cinta cortada
₡4 621,73
₡3 117,59
₡2 524,26
₡2 243,21
Envase tipo carrete
₡2 009,00
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12
Hoja de datos
2 790Se espera el 17/9/2027
Cinta cortada
₡6 000,97
₡4 340,68
₡3 617,23
₡3 226,89
Envase tipo carrete
₡3 049,93
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel