SISH892BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SISH892BDN-T1-GE3
SISH892BDN-T1-GE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8
N-Channel
1 Channel
100 V
20 A
30.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
17.4 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay / Siliconix
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 33 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5 ns
Serie: SISH
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 19 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9 ns
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET is a TrenchFET® Gen IV power MOSFET featuring 100% Rg and UIS tested. The SISH892BDN MOSFET offers a 100V VDS, 20A ID, and 8nC Qg. The Vishay / Siliconix SISH892BDN MOSFET is available in a PowerPAK® 1212-8SH package and has an operating junction and storage temperature range of -55°C to +150°C.

En existencias: 33 773

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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
₡759,88 ₡759,88
₡356,52 ₡3 565,20
₡316,96 ₡31 696,00
₡247,74 ₡123 870,00
₡244,62 ₡244 620,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡221,20 ₡663 600,00
₡209,75 ₡1 887 750,00
† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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