HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC 1.04 mW HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 90A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 54 Amps 300V 0.033 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 60 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 65 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 9 A 1.04 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar HiperFET Power MOSFET No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 70V 0.006 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 94 Amps 150V 0.011 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 10.5 A 660 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 200 W HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 133 Amps 100V 0.0075 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 235 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V 1 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 630 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 0.5 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 570 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 156 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 358 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 490 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 500 W HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.42 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 105 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 900 V 13 A 460 mOhms - 30 V, 30 V 58 nC - 55 C + 150 C 230 W HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1000V 0.39 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 197 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1200V 0.46 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 65 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 15 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 340 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 23 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.29 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 21 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube