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NSS12100UW3TCG

Name: onsemi NSS12100UW3TCG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS12100UW3TCG
Price: 489.24 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NSS12100UW3TCG

Fabricante N.º:

NSS12100UW3TCG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 12V 1A LOW VCE(SAT) WDFN3

Hoja de datos:

NSS12100UW3TCG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡489,24	₡489,24
	₡288,34	₡2 883,40
	₡191,01	₡19 101,00
	₡149,37	₡74 685,00
	₡135,84	₡135 840,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡110,86	₡332 580,00
	₡101,49	₡608 940,00
	₡97,85	₡880 650,00
	₡95,25	₡2 286 000,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN3
Polaridad del transistor:	PNP
Configuración:	Single
Corriente CC máxima de colector:	1 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	12 V
Tensión VCBO colector-base:	12 V
Voltaje VEBO emisor-base:	5 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	400 mV
Dp - Disipación de potencia :	1.1 W
Producto para ganar Ancho de banda fT:	200 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	NSS12100UW
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	9,300 mg

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Hoja de datos

NSS12100UW3TCG Hoja de datos

PCN

SPICE Models

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Malasia

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Low Vce(sat) Bipolar Junction Transistors

Family of Vce(sat) BJT devices feature low-saturation voltage and high-current gain.

e2PowerEdge Low VCE(sat) Transistors

onsemi e2PowerEdge Low V_CE(sat) Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra-low saturation voltage (V_CE(sat)) and high current gain capability. These are designed for low-voltage, high-speed switching applications where affordable, efficient energy control is essential. Typical applications are DC−DC converters and power management in portable and battery-powered products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras, and MP3 players. Other applications are low-voltage motor controls in mass storage products such as disc and tape drives. These can be used for airbag deployment and instrument clusters in the automotive industry. The high current gain allows onsemi e2PowerEdge devices to be driven directly from PMU’s control outputs, and the linear gain (Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.