Amplificador de RF 0DC Driver
AD8352ACPZ-R7
Analog Devices
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584-AD8352ACPZ-R7
Analog Devices
Amplificador de RF 0DC Driver
1 790 En existencias
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₡6 126,15
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL
BLP15M9S30GXY
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94-BLP15M9S30GXY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL
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Extremo frontal RF 2GHz FEM TX/RX Gain 32/12dB
SKY85309-11
Skyworks Solutions, Inc.
1:
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873-SKY85309-11
Skyworks Solutions, Inc.
Extremo frontal RF 2GHz FEM TX/RX Gain 32/12dB
2 999 En existencias
1
₡1 805,32
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Amplificador de RF Dual Programmable Filters and VGAs for 2 GHz Channel Spacing for ?W Radios
ADRF6520ACPZ-R7
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584-ADRF6520ACPZ-R7
Analog Devices
Amplificador de RF Dual Programmable Filters and VGAs for 2 GHz Channel Spacing for ?W Radios
432 En existencias
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Extremo frontal RF 2.4GHz Wi-Fi 7 Medium Power Non Linear F
QPF4202TR13
Qorvo
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772-QPF4202TR13
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Qorvo
Extremo frontal RF 2.4GHz Wi-Fi 7 Medium Power Non Linear F
2 472 En existencias
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Amplificador de RF Dual Programmable Filters and VGAs for 2 GHz Channel Spacing for ?W Radios
ADRF6520ACPZ
Analog Devices
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584-ADRF6520ACPZ
Analog Devices
Amplificador de RF Dual Programmable Filters and VGAs for 2 GHz Channel Spacing for ?W Radios
74 En existencias
490 Se espera el 19/6/2026
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
BLP15H9S100GXY
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94-BLP15H9S100GXY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL
BLP15H9S100XY
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94-BLP15H9S100XY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL
BLP15H9S100Z
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94-BLP15H9S100Z
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
BLP15H9S10GZ
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94-BLP15H9S10GZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
827 En existencias
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL
BLP15H9S10XY
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94-BLP15H9S10XY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
BLP15H9S30GXY
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94-BLP15H9S30GXY
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
BLP15H9S30GZ
Ampleon
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803 En existencias
2 000 Se espera el 26/10/2026
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94-BLP15H9S30GZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
803 En existencias
2 000 Se espera el 26/10/2026
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1
₡12 772,76
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₡9 612,10
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
BLP15H9S30XY
Ampleon
1:
₡13 981,72
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N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S30XY
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
108 En existencias
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1
₡13 981,72
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500
₡9 172,96
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1 000
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL
BLP15M9S30Z
Ampleon
1:
₡13 585,96
408 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S30Z
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL
408 En existencias
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1
₡13 585,96
10
₡10 918,65
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₡10 251,82
100
₡9 807,27
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₡9 503,67
500
₡9 156,70
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500
Detalles
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
BFR 93AW H6327
Infineon Technologies
1:
₡168,06
93 476 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BFR93AWH6327
NRND
Infineon Technologies
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
93 476 En existencias
1
₡168,06
10
₡103,55
100
₡82,40
500
₡78,07
3 000
₡69,94
24 000
Ver
1 000
₡74,81
24 000
₡67,23
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Carrete :
3 000
Detalles
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN RF Transistor
+2 imágenes
MMBT5179
onsemi
1:
₡54,21
26 710 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-MMBT5179
onsemi
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN RF Transistor
26 710 En existencias
1
₡54,21
10
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500
₡21,69
1 000
₡20,60
3 000
₡20,60
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Máx.: 2 490
Carrete :
3 000
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
BLP15H9S100GZ
Ampleon
1:
₡14 838,30
58 En existencias
500 Se espera el 21/9/2026
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S100GZ
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
58 En existencias
500 Se espera el 21/9/2026
Embalaje alternativo
1
₡14 838,30
10
₡11 954,13
25
₡11 233,09
100
₡10 793,96
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500
₡10 078,33
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500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
BLP15M9S70XY
Ampleon
1:
₡15 895,47
76 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S70XY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
76 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡15 895,47
10
₡12 723,96
100
₡10 484,94
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
100
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
BLP15M9S70GXY
Ampleon
1:
₡14 117,26
100 Se espera el 3/9/2026
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S70GXY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
100 Se espera el 3/9/2026
Embalaje alternativo
1
₡14 117,26
10
₡11 796,91
100
₡9 725,94
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Mult.: 1
Carrete :
100
Detalles
Amplificador de RF SMT Gain Block, DC - 2000 MHz, 50ohm
RAM-3+
Mini-Circuits
1:
₡5 085,25
80 Se espera el 25/5/2026
N.º de artículo del Fabricante
RAM-3+
N.º de artículo de Mouser
139-RAM-3
Mini-Circuits
Amplificador de RF SMT Gain Block, DC - 2000 MHz, 50ohm
80 Se espera el 25/5/2026
1
₡5 085,25
20
₡4 749,12
50
₡4 217,83
100
₡4 217,83
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
100
Detalles
Receptor de RF 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B
AD6674BCPZ-1000
Analog Devices
1:
₡738 082,12
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
584-AD6674BCPZ-1000
Analog Devices
Receptor de RF 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
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Detalles
Receptor de RF 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B
AD6674BCPZ-500
Analog Devices
1:
₡364 798,84
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
584-AD6674BCPZ-500
Analog Devices
Receptor de RF 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
1
₡364 798,84
10
₡323 157,26
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
BLP15H9S10GXY
Ampleon
1:
₡13 325,74
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S10GXY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Embalaje alternativo
1
₡13 325,74
10
₡10 669,26
25
₡9 894,01
100
₡8 788,05
200
₡8 370,60
500
Ver
500
₡8 245,91
1 000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
100
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL
BLP15H9S10Z
Ampleon
500:
₡8 159,17
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S10Z
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Embalaje alternativo
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Min.: 500
Mult.: 500
Carrete :
500
Detalles