MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMTA65R050M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 606,83
293 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R050M2HXTM
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
293 En existencias
1
₡3 606,83
10
₡2 336,89
100
₡1 759,17
500
₡1 655,08
1 000
₡1 561,40
2 000
₡1 561,40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPF010N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 252,91
213 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPF010N06NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
213 En existencias
1
₡3 252,91
10
₡2 128,70
100
₡1 566,60
500
₡1 394,85
800
₡1 238,71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPF012N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 336,89
782 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPF012N06NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
782 En existencias
1
₡2 336,89
10
₡1 207,48
100
₡936,84
500
₡869,18
800
₡869,18
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
IPF013N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 977,77
238 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPF013N04NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
238 En existencias
1
₡1 977,77
10
₡1 290,75
100
₡936,84
500
₡785,90
800
₡728,65
2 400
₡687,01
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
IPF016N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 941,34
361 En existencias
5 600 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPF016N06NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
361 En existencias
5 600 En pedido
Ver fechas
Existencias:
361 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1 600 Se espera el 9/7/2026
4 000 Se espera el 16/7/2026
Plazo de entrega de fábrica:
15 Semanas
1
₡1 941,34
10
₡1 269,94
100
₡921,22
500
₡770,29
800
₡718,24
2 400
₡671,40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPF050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 774,79
415 En existencias
800 Se espera el 10/9/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPF050N10NF2SATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
415 En existencias
800 Se espera el 10/9/2026
1
₡1 774,79
10
₡1 150,23
100
₡796,31
500
₡660,99
800
₡614,15
2 400
₡577,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
IPF129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 523,55
359 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPF129N20NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
359 En existencias
1
₡3 523,55
10
₡2 357,71
100
₡1 894,49
500
₡1 686,31
1 000
₡1 493,74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
SCT4062KW7TL
ROHM Semiconductor
1:
₡6 563,07
1 453 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-SCT4062KW7TL
ROHM Semiconductor
MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
1 453 En existencias
1
₡6 563,07
10
₡4 564,48
100
₡3 638,05
1 000
₡3 440,28
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs de SiC NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
NSF060120D7A0J
Nexperia
1:
₡6 334,06
795 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-NSF060120D7A0J
Nexperia
MOSFETs de SiC NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L
795 En existencias
1
₡6 334,06
10
₡4 366,70
100
₡3 638,05
800
₡2 290,05
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
MOSFETs de SiC NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
NSF080120D7A0J
Nexperia
1:
₡5 771,96
790 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-NSF080120D7A0J
Nexperia
MOSFETs de SiC NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L
790 En existencias
1
₡5 771,96
10
₡4 007,58
100
₡3 252,91
800
₡2 092,27
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V
SUM70042M-GE3
Vishay / Siliconix
1:
₡3 643,26
118 En existencias
800 Se espera el 27/7/2026
N.º de artículo de Mouser
78-SUM70042M-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V
118 En existencias
800 Se espera el 27/7/2026
1
₡3 643,26
10
₡2 456,60
100
₡1 988,18
500
₡1 618,65
800
₡1 587,42
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3
E3M0032120J2-TR
Wolfspeed
1:
₡7 177,22
713 En existencias
N.º de artículo de Mouser
941-E3M0032120J2-TR
Wolfspeed
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3
713 En existencias
1
₡7 177,22
10
₡5 032,90
100
₡4 460,39
500
₡4 163,72
800
₡4 163,72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3
E3M0040120J2-TR
Wolfspeed
1:
₡6 568,27
727 En existencias
N.º de artículo de Mouser
941-E3M0040120J2-TR
Wolfspeed
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3
727 En existencias
1
₡6 568,27
10
₡4 580,10
100
₡3 976,36
500
₡3 710,92
800
₡3 710,92
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
1:
₡3 018,70
985 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
985 En existencias
1
₡3 018,70
10
₡2 014,20
100
₡1 441,69
500
₡1 301,16
1 000
₡1 223,09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
STH310N10F7-6
STMicroelectronics
1:
₡3 627,64
1 253 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
1 253 En existencias
1
₡3 627,64
10
₡2 440,98
100
₡1 769,58
500
₡1 665,49
1 000
₡1 571,81
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
STH315N10F7-6
STMicroelectronics
1:
₡2 815,72
2 061 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STH315N10F7-6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
2 061 En existencias
1
₡2 815,72
10
₡1 868,47
100
₡1 400,05
500
₡1 186,66
1 000
₡1 181,46
2 000
₡1 108,59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB024N08BL7
onsemi
1:
₡3 128,00
3 568 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDB024N08BL7
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
3 568 En existencias
1
₡3 128,00
10
₡2 087,07
100
₡1 498,94
500
₡1 285,55
800
₡1 285,55
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
FDB0260N1007L
onsemi
1:
₡5 974,94
460 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDB0260N1007L
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
460 En existencias
1
₡5 974,94
10
₡4 127,29
100
₡3 211,27
500
₡3 101,97
800
₡3 003,09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Amplificadores operacionales - Op Amps Hi-Vltg Hi-Current E xc Output Swing
OPA547FKTWT
Texas Instruments
1:
₡9 097,74
522 En existencias
1 750 Se espera el 25/6/2026
N.º de artículo de Mouser
595-OPA547FKTWT
Texas Instruments
Amplificadores operacionales - Op Amps Hi-Vltg Hi-Current E xc Output Swing
522 En existencias
1 750 Se espera el 25/6/2026
Embalaje alternativo
1
₡9 097,74
10
₡7 213,65
25
₡6 740,03
100
₡6 219,56
250
₡5 933,31
500
₡5 829,21
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
250
Detalles
Amplificadores operacionales - Op Amps Hi-Vltg Hi-Current E xc Output Swing
OPA548FKTWT
Texas Instruments
1:
₡14 177,48
18 En existencias
N.º de artículo de Mouser
595-OPA548FKTWT
Texas Instruments
Amplificadores operacionales - Op Amps Hi-Vltg Hi-Current E xc Output Swing
18 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡14 177,48
10
₡11 247,26
25
₡10 830,88
100
₡10 227,15
250
₡9 758,73
500
Ver
500
₡9 649,43
1 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
250
Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación MULTICHIP PROFET & GD
BTS500101TAEATMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 721,33
1 866 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BTS500101TAEATMA
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación MULTICHIP PROFET & GD
1 866 En existencias
1
₡3 721,33
10
₡2 836,54
25
₡2 581,51
100
₡2 378,53
250
Ver
1 000
₡2 076,66
250
₡2 258,82
500
₡2 191,16
1 000
₡2 076,66
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación MULTICHIP PROFET & GD
BTS500201TADATMA2
Infineon Technologies
1:
₡2 758,47
2 337 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BTS500201TADATM2
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación MULTICHIP PROFET & GD
2 337 En existencias
1
₡2 758,47
10
₡2 102,68
25
₡1 936,13
100
₡1 759,17
250
Ver
1 000
₡1 582,21
250
₡1 675,90
500
₡1 644,67
1 000
₡1 582,21
5 000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART SENSE HI-SIDE PWR SWITCH
BTS640S2GATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 565,89
3 318 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BTS640S2GATMA1
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART SENSE HI-SIDE PWR SWITCH
3 318 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 565,89
10
₡1 956,95
25
₡1 800,81
100
₡1 634,26
1 000
₡1 483,33
2 000
Ver
250
₡1 556,19
500
₡1 504,15
2 000
₡1 452,10
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBF170R450M1XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡4 257,41
3 059 En existencias
3 000 Se espera el 27/8/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R450M1XTM
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
3 059 En existencias
3 000 Se espera el 27/8/2026
1
₡4 257,41
10
₡2 846,95
100
₡2 290,05
500
₡2 035,02
1 000
₡1 806,01
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 278,93
1 899 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R650M1XTM
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
1 899 En existencias
1
₡3 278,93
10
₡2 066,25
100
₡1 566,60
500
₡1 400,05
1 000
₡1 321,98
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles