TO-3P-3 Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
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89En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
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220En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
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68En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
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152En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds
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376En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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130En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds
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216En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
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274En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds
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150En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3


Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V
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50En existencias
500En pedido
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 230V 15A
Hoja de datos
234En existencias
5 000En pedido
Min.: 1
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds
Hoja de datos
12En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
WeEn Semiconductors Rectificadores Dual ultrafast power diode
Hoja de datos
474En existencias
Min.: 1
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Rectifiers Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
Hoja de datos
300Se espera el 25/1/2027
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200 W BETA AUDIO
Hoja de datos
3 001Se espera el 15/1/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3
IXYS SCR Power Thyristor Discretes-SCR TO-3P (3)
Hoja de datos
26Se espera el 19/3/2027
Min.: 1
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SCRs Through Hole TO-3P-3
IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V
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540Existencias en fábrica disponibles
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Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
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840Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
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420Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
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420Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
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780Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds
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330Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
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630Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
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390Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
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1 410Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3