Power MOSFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET
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1 933En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH MOSFET
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1 995En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH MOSFET
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1 986En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET
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1 219En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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2 455En existencias
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: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH MOSFET
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1 992En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET
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1 970En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Comentarios de Producto
2 485En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 24A N-CH MOSFET
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4 919En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 155 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 24A N-CH MOSFET
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1 932En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET
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1 000En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
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2 508En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 5 000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement DI100N10PQ Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
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844En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.64 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 168 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N, AEC-Q101
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5 000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 2 Channel 45 V 38 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 14 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement AEC-Q101 DI038N04PQ2-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N
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1 121En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement DIT100N10 Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
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549En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 40V 35A
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2 253En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 60V 25A
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7 182En existencias
6 000Se espera el 22/6/2026
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 48 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SPR247 500V 36A N-CH MOSFET
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465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Super-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3DT
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660En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 20 A 9.1 mOhms - 8 V, 8 V 1.1 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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7En existencias
240Se espera el 9/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
167En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Power MOSFET
Hoja de datos
1 000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT HSML3333L-9 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5.5 A, 7 A 35 mOhms, 80 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.8 nC, 8.4 nC - 55 C + 150 C 4 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 6A N-CH MOSFET
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378En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
Hoja de datos
Comentarios de Producto
1 496En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 45 V 7 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel