SCTWA70N120G2V-4
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511-SCTWA70N120G2V-4
SCTWA70N120G2V-4
Fabricante:
Descripción:
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
Ciclo de vida:
Fin de vida útil:
Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.
Hoja de datos:
Códigos de cumplimiento
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- China
- País de origen del ensamblaje:
- No disponible
- País de difusión:
- No disponible
En existencias: 16
-
Existencias:
-
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Precio (CRC)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| ₡18 018,51 | ₡18 018,51 | |
| ₡13 490,46 | ₡134 904,60 |
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