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1ED21271S65FXUMA1

Name: Infineon 1ED21271S65FXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1ED21271S65FXUMA
Price: 1351 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-1ED21271S65FXUMA

Fabricante N.º:

1ED21271S65FXUMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Controladores de puertas 650V high-side gate driver

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 351	₡1 351
	₡870	₡8 700
	₡777	₡19 425
	₡644	₡64 400
	₡603	₡150 750
	₡527	₡263 500
	₡458	₡458 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡416	₡1 040 000
	₡397	₡2 977 500

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Gate Drivers
Tipo:	High-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PG-DSO-8
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	4 A
Voltaje de alimentación - Máx.:	25 V
Configuración:	Inverting
Tiempo de subida:	12 ns
Tiempo de caída:	12 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Tiempo de retardo de apagado máximo:	80 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	80 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	270 uA
Voltaje de salida:	460 mV
Dp - Disipación de potencia :	625 mW
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	410 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	50 Ohms
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Nombre comercial:	EiceDRIVER
Alias de las piezas n.º:	1ED21271S65F SP005826767

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V High-Side Gate Drivers

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V High-Side Gate Drivers are designed to provide robust and efficient control for high-voltage power transistors. These Infineon gate drivers feature a high-side driver architecture that supports a wide range of applications, including motor drives, solar inverters, and industrial power supplies. With a maximum voltage rating of 650V, the 1ED21x7x series ensures reliable operation in demanding environments. Key features include integrated bootstrap diodes, fast switching capabilities, and comprehensive protection mechanisms such as undervoltage lockout (UVLO) and overcurrent protection. These attributes make the EiceDRIVER™ 1ED21x7x series an ideal choice for enhancing the performance and reliability of high-voltage power systems.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.