1EDI3040ASXUMA1

Infineon Technologies
726-1EDI3040ASXUMA1
1EDI3040ASXUMA1

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas Automotive qualified 1ch reinforced isolated gate driver made for leading edge IGBT & SiC traction inverters

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Gate Driver
Single
SMD/SMT
LFDSO-36
1 Driver
1 Output
20 A
Inverting, Non-Inverting
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: SiC
Nombre comercial: EiceDRIVER
Alias de las piezas n.º: 1EDI3040AS SP005910755
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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Alemania
País de origen del ensamblaje:
Indonesia
País de difusión:
Alemania
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

EiceDRIVER™ High-Voltage Gate Driver ICs

Infineon Technologies EiceDRIVER™ High-Voltage Gate Driver ICs for Electric Vehicle (EV) applications include automotive-qualified IGBT driver ICs and SiC MOSFET driver ICs. The Infineon Technologies EiceDRIVER™ High-Voltage Gate Driver ICs provide galvanic isolation and bidirectional signal transmission with high ambient temperature capability. The ICs enable extremely short propagation delays and support IGBT and SiC technologies up to 1200V. The devices incorporate key features/parameters to drive SiC MOSFETs such as an enhanced switching behavior (extended CMTI capability, fast propagation delay, switching frequency), wide output-side supply range, short internal dead time, and DESAT/OCP threshold level adaptation. Advanced monitoring and protection features facilitate the implementation of ISO 26262 functional safety requirements and provide stable operation in harsh EMC environments.

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
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₡-,--
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Precio ext.
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₡2 087,07 ₡20 870,70
₡1 920,52 ₡48 013,00
₡1 743,56 ₡174 356,00
₡1 707,13 ₡426 782,50
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