FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Infineon Technologies
726-FF8MR12W1M1HB11B
FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Fabricante:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V

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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
Half Bridge
Si
Tray
Marca: Infineon Technologies
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Cantidad de empaque de fábrica: 24
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Nombre comercial: EasyDUAL
Alias de las piezas n.º: FF8MR12W1M1H_B11 SP005634498
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Austria
País de origen del ensamblaje:
Alemania
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Reliable & Efficient Power Supply for Data Centers

Infineon Technologies Reliable and Efficient Power Supply for Data Centers are scalable solutions with power ratings from approximately 5kW to 50/60kW. This Infineon solution is ideal for uninterruptible power supplies (UPS) that require high power density and energy efficiency. These modules leverage various chip technologies, including Si IGBT, CoolSiC™ hybrid, and CoolSiC MOSFET, to meet diverse requirements for cost-effectiveness and performance. Infineon's portfolio addresses all system levels of a UPS with different voltage classes, and are set to expand offerings to include lower power rating classes.

EasyDUAL™ 1B IGBT Modules

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT Modules with CoolSiC™ MOSFETs deliver very low stray inductance and outstanding efficiency enabling higher frequencies, increased power density, and reduced cooling requirements. The 1200V, 8mΩ half-bridge modules feature an integrated NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Thermal interface material is available on the xHP_B11 variants. These devices feature 0 to 5V and +15V to +18V recommended gate drive voltage ranges, maximum gate-source voltages of +23V or -10V, and 17mΩ or 33mΩ drain-source on resistance options. Integrated mounting clamps provide rugged mounting assurance.

En existencias: 78

Existencias:
78
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Plazo de entrega de fábrica:
20
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