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IPTG014N10NM5ATMA1

Name: Infineon IPTG014N10NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPTG014N10NM5ATM
Price: 2993 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPTG014N10NM5ATM

Fabricante N.º:

IPTG014N10NM5ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

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	₡2 993	₡2 993
	₡2 169	₡21 690
	₡1 560	₡156 000
	₡1 520	₡760 000
	₡1 241	₡1 241 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1800)
	₡1 235	₡2 223 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSOG-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	366 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.8 V
Qg - Carga de puerta:	169 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	IPTG014N10NM5 SP005430771