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IXTX400N20X4

Name: IXYS IXTX400N20X4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTX400N20X4
Price: 14732 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXTX400N20X4

Fabricante N.º:

IXTX400N20X4

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

IXTX400N20X4 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡14 732	₡14 732
	₡12 052	₡120 520
	₡10 643	₡1 064 300

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	400 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	348 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	1.36 kW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	370 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	480 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	430 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	150 ns

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Hoja de datos

IXTX400N20X4 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000

MOSFET de potencia X4-Class

IXYS X4-Class Power MOSFETs offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency. These power MOSFETs come in a PLUS package, enabling higher nominal current rating and increased power density. The X4-Class power MOSFETs are pin compatible with the standard TO-247 package and are easy to upgrade from existing designs for higher power output. These power MOSFETs feature low gate charge and low thermal resistance. Typical applications include DC load switch, battery protection, battery OR-ing, battery energy storage systems, and DC/DC buck-boost converters.