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NVH4L018N075SC1

Name: onsemi NVH4L018N075SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L018N075SC1
Price: 15692.03 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVH4L018N075SC1

Fabricante N.º:

NVH4L018N075SC1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 750V

Hoja de datos:

NVH4L018N075SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	NVH4L018N075SC1
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).