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BSZ0902NS

Name: Infineon BSZ0902NS
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSZ0902NS
Price: 824.05 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSZ0902NS

Fabricante N.º:

BSZ0902NS

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos:

BSZ0902NS Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡824,05	₡824,05
	₡513,40	₡5 134,00
	₡338,84	₡33 884,00
	₡264,56	₡132 280,00
	₡225,53	₡225 530,00
	₡216,31	₡540 775,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡186,50	₡932 500,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSDSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	106 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	26 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	48 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	AT
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	3.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	55 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.2 ns
Alias de las piezas n.º:	SP000854386 BSZ92NSXT BSZ0902NSATMA1
Peso de la unidad:	38,760 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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