N-Channel Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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3 462En existencias
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: 5 000
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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675En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
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3 444En existencias
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: 6 000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
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1 400En existencias
4 000En pedido
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: 4 000

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
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361En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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2 011En existencias
10 000En pedido
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: 5 000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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3 052En existencias
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: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
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2 995En existencias
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: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
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443En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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1 990En existencias
6 000Se espera el 21/5/2026
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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2 700En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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740En existencias
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Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
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1 400En existencias
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: 3 000

Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
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2 100En existencias
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: 3 000

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
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31En existencias
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: 750

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
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30En existencias
750Se espera el 28/5/2026
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: 750

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
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128En existencias
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: 1 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
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697En existencias
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: 1 800
IXYS MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
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79En existencias
450Se espera el 19/5/2026
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: 450

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T6 40V (N-CH)
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1 496En existencias
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: 3 000

Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V
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25En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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114En existencias
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: 750

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F
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2 100En existencias
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: 3 000

APC-E MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
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270En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
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140En existencias
1 000Se espera el 18/5/2026
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: 1 000