N-Channel Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
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3 518En existencias
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: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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5 250En existencias
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: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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7 607En existencias
5 000Se espera el 22/4/2027
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: 5 000
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
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315En existencias
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STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
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33En existencias
61En pedido
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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611En existencias
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: 750

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
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2 608En existencias
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: 5 000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
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4 714En existencias
6 000Se espera el 10/12/2026
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: 6 000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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2 030En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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690En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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353En existencias
10 000Se espera el 21/8/2026
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: 5 000
onsemi GaN FETs GaN FET, 700V, 132m, DPAK
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2 490En existencias
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Máx.: 25
: 250

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
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2 079En existencias
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Máx.: 300
: 3 000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
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1 040En existencias
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Máx.: 150
: 1 500

Microchip Technology Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3
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3En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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5 950En existencias
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: 3 000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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5 950En existencias
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: 3 000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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5 289En existencias
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iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL
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60En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H
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4 160En existencias
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: 5 000

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
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2 235En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
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3 456En existencias
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Máx.: 480

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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14 433En existencias
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: 5 000

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
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867En existencias
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Máx.: 30
: 800

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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9 407En existencias
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Máx.: 3 000
: 3 000