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N-Channel Power MOSFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 12

Filtros aplicados:

Tipo de transistor = N-Channel Power MOSFET

Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHB100N65E-GE3
Vishay
1: ₡5 511,73
597En existencias

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SIHB100N65E-GE3

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78-SIHB100N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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₡3 794,19

₡2 820,92

₡2 742,85

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHB125N65E-GE3
Vishay
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SIHB125N65E-GE3

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78-SIHB125N65E-GE3

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736En existencias

₡4 574,89

₡3 117,59

₡2 290,05

₡2 144,32

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHH100N65E-T1-GE3
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₡5 662,66

₡3 903,49

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₡2 841,74

Envase tipo carrete

₡2 841,74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

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- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

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+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SIHH125N65E-T1-GE3
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Cinta cortada

₡4 595,71

₡3 133,20

₡2 305,66

₡2 279,64

₡2 159,93

Envase tipo carrete

₡2 159,93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHK100N65E-T1-GE3
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Cinta cortada

₡5 204,65

₡3 570,39

₡2 680,40

₡2 539,87

Envase tipo carrete

₡2 539,87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-10x12

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SIHK125N65E-T1-GE3
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Cinta cortada

₡4 705,01

₡3 211,27

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₡2 352,50

₡2 227,59

Envase tipo carrete

₡2 227,59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PowerPAK-10x12

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHP100N65E-GE3
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900En existencias

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SIHP100N65E-GE3

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₡3 788,99

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₡2 737,65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

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SIHP125N65E-GE3
Vishay
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815En existencias

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SIHP125N65E-GE3

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78-SIHP125N65E-GE3

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₡3 112,38

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₡2 139,11

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

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SIHG125N65E-GE3
Vishay
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SIHG125N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG125N65E-GE3

Vishay

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₡2 529,46

₡2 409,75

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

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+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V, 1.4A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM4800N15CX6 RFG
Taiwan Semiconductor
1: ₡468,42
14 194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM4800N15CX6 RFG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM4800N15CX6RFG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V, 1.4A, Single N-Channel Power MOSFET

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Cinta cortada

₡468,42

₡290,94

₡188,93

₡144,69

Envase tipo carrete

₡111,38

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

1.4 A

392 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 180A 1.25mohm TO-263 / D2PAK

NP179N04TUK-E1-AY
Renesas Electronics
800: ₡1 223,09
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N.º de artículo del Fabricante
NP179N04TUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP179N04TUK-E1AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 180A 1.25mohm TO-263 / D2PAK

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

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₡1 223,09

₡1 197,07

₡1 171,05

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Mult.: 800

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1.25 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

160 nC

+ 175 C

288 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 180A 1.75mohm TO-263 / D2PAK

NP179N055TUK-E1-AY
Renesas Electronics
800: ₡1 139,82
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

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NP179N055TUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP179N055TUKE1AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 180A 1.75mohm TO-263 / D2PAK

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₡1 139,82

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Mult.: 800

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

55 V

180 A

1.75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

160 nC

+ 175 C

288 W

Enhancement

Reel

N-Channel Power MOSFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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