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QPD1028EVB

Name: Qorvo QPD1028EVB
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1028EVB
Price: 507500 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD1028EVB

Fabricante N.º:

QPD1028EVB

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Herramientas de desarrollo RF 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Herramientas de desarrollo RF
RoHS:
Producto:	Evaluation Boards
Tipo:	RF Transistor
La Herramienta es para la Evaluación de :	QPD1028
Frecuencia:	1.2 GHz to 1.4 GHz
Marca:	Qorvo
Empaquetado:	Bag
Tipo de producto:	RF Development Tools
Serie:	QPD1028
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Development Tools
Alias de las piezas n.º:	QPD1028

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Atributos seleccionados: 0

USHTS:: 9030820000
ECCN:: EAR99

QPD1028 & QPD1028L Evaluation Boards

Qorvo QPD1028 and QPD1028L Evaluation Boards are demonstration and development platforms for the QPD1028 and QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors. The QPD1028 and QPD1028L are discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide HEMT (High-Electron-Mobility Transistors) operating from 1.2GHz to 1.4GHz. These devices provide 59dBm of saturated output power with 18dB of large-signal gain and 70% of drain efficiency. The QPD1028 and QPD1028L Transistors are internally pre-matched for optimal performance can support both continuous wave and pulsed operations.