AT28C256-25DM/883

Microchip / Microsemi
556-28C256-25DM/883
AT28C256-25DM/883

Fabricante:

Descripción:
EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS 883C
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Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡131 360,26 ₡131 360,26
₡117 312,90 ₡1 173 129,00
₡117 302,49 ₡3 284 469,72
112 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: EEPROM
Restricciones de envío:
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RoHS:  
256 kbit
Parallel
32 k x 8
CDIP-28
150 ns
4.5 V
5.5 V
Through Hole
10 Year
- 55 C
+ 125 C
AT28C256
Tube
Corriente de lectura activa - máx.: 50 mA
Marca: Microchip / Microsemi
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 50 mA
Voltaje de alimentación operativo: 2.7 V, 3.6 V
Tiempo de acceso de activación de salida: 100 ns
Tipo de producto: EEPROM
Cantidad de empaque de fábrica: 14
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 50 mA
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
JPHTS:
8542320393
TARIC:
8542327500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A001.a.2.c
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

AT28C256 256K EEPROM Memory

Microchip AT28C256 256K EEPROM Memory devices are high-performance, Electrically Erasable, and Programmable Read-only Memory (EEPROM). The EEPROM 256K of memory is organized as 32,768 words by 8-bits. These devices are manufactured with Atmel's advanced non-volatile CMOS technology, offering 150ns access time with 440mW power dissipation. The AT28C256 memory devices are accessed like static RAM for reading or writing cycles without needing external components. These AT28C256 devices contain a 64-byte page register to allow writing up to 64 bytes. The EEPROM devices utilize an internal error correction for extended endurance and improved data retention. 

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