R1RW0416DSB-2PR#D1

Name: Renesas Electronics R1RW0416DSB-2PR#D1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0416DSB2PRD1
Price: 11924.8 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

968-R1RW0416DSB2PRD1

Fabricante N.º:

R1RW0416DSB-2PR#D1

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) ASYNC. 4M FAST Tamaño de memoria RAM (SRAM)

Hoja de datos:

R1RW0416DSB-2PR#D1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Renesas Electronics R1RW0416DSB-2PR#D1

En existencias: 133

Existencias:: 133 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡11 924,80	₡11 924,80
	₡11 054,80	₡110 548,00
	₡10 712,60	₡267 815,00
	₡10 445,80	₡522 290,00
	₡10 190,60	₡1 019 060,00
	₡9 854,20	₡2 660 634,00
	₡9 604,80	₡5 186 592,00
1 080	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	256 k x 16
Tiempo de acceso:	12 ns
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Corriente de suministro - Máx.:	130 mA
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOP-II-44
Empaquetado:	Tray
Marca:	Renesas Electronics
Tipo de memoria:	SRAM
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	135
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	High Speed

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

R1RW0416DSB-2PR#D1 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.