RF Chip Inductors

Fastron RF Chip Inductors feature a ceramic core and are designed for RF applications that require optimal Q on high-frequency circuits. Fastron RF chip inductors feature gold flash pad metallization to provide better solderability for a higher yield in production, and the encapsulation not only protects the winding but also allows surface mount assembly. Case sizes are available in 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, and 1210 with an operating temperature range from -40°C to +125°C. Applications include mobile telecommunication, automotive subsystems, and wireless communication.

Tipos de inductores, bobinas y espirales
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Inductancia
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Corriente CC máxima
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Temperatura de trabajo máxima
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Fastron Inductores de RF - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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15 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Inductores de RF - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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16 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Inductores de RF - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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18 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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22 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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24 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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27 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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30 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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33 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Inductores de RF - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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36 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron Inductores de RF - SMD Non-magnetic Chip Inductor (Wire wound -open); 39nH; Tol: 2%
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39 nH 2 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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39 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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43 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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47 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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51 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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56 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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68 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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72 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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82 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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1.6 nH 10 % 850 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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1.8 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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2 nH 10 % 170 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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3.3 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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3.6 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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3.9 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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4.3 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200